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耐高温,阻燃活性炭吸附剂
耐高温,阻燃活性炭吸附剂
详细说明:

半导体制作可能排放的特殊毒性气体种类众多,像薄膜成长制程、化學气相沉積(CVD)、干蚀刻(dry etching)、扩散(diffusion)、离子植入(ion implantation)与磊晶(epitaxy)制程等等所排放的AsH3、PH3、SiH4、B2H6、SiH2Cl2,CL2,HF,PH3,NH3,HBr,F2,HCL,COS等等,都是含有特殊毒性的危险气体。针对此类的废气处理需把握各单元所排放的废气特性,串联多种不同型式的废气处理设备和吸附剂。目前常应用于处理半导体制程中特殊毒性气体处理的处理技術,一般可以分為四种,干式吸收或吸附法、湿式洗滌法等。其中各种吸附剂的配合使用为目前半导体行业的主流处理技术。

半导体工段

处理气体

成分备注

名称

半导体厂流程

Etching

BCl3, BF3, Cl2, F2, HCl, etc.

半导体用活性炭系列,耐高温,阻燃

XFJ-CS-1

蚀刻流程

BCl3, BF3, Cl2, HBr, HCl, HF, F2, WF6, etc.

氢氧化物系列

XFJ-CS-2

蚀刻流程

Diffusion

B2H6, SiH2Cl2, SiH4, Si2H6,CO etc.

氢氧化物常温催化剂系列

XFJ-GW-3

扩散流程

BCl3, Cl2, NH3, SiH2Cl2, etc.  

氧化金属系列

XFJ-CAN-4

扩散流程

Ion Implantation

AsH3, B2H6, H2S, H2Se, PH3, etc.

氧化金属系列

XFJ-LW-5

离子植入流程

BCl3, BF3, Cl2, GeF4, HBr, HCl, HF, F2, etc.

氢氧化物系列

XFJ-CS-6

离子植入流程

Cleaning Gas

ClF3, Cl2, F2, HCl, HF, etc.

氢氧化物系列

XFJ-CS-7

净化流程

BPSG

SiH4, TEOS, etc.

分子筛系列

XFJ-FZS-8

BPSG流程

Oxide (CO)

CO

分子筛系列

XFJ-FZS-9

空气净化,吸烟区,厨房等

FILTER

水汽,粉尘吸附,垫层使用

氧化金属系列,大小为40目立方体

XFJ-DC-10

与所有吸附剂配合使用